型号：IPP015N04N G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-220-3
描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫欧 @ 100A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 20V
功率_最大：250W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-220-3
供应商设备封装：PG-TO220-3
包装：管件
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS?3 Power-Transistor
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