型号：IPL60R199CP
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：4-TSFN 裸露焊盘
描述：MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
系列：CoolMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：199 毫欧 @ 9.9A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3.5V @ 1.1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 100V
功率_最大：139W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装：PG-VSON-4
包装：带卷 (TR)
