型号：IPI80CN10N G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫欧 @ 13A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 12µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：716pF @ 50V
功率_最大：31W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装：PG-TO262-3
包装：管件
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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