型号:IPI70N10S3L-12
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:70A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:12.1 毫欧 @ 70A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.4V @ 83µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5550pF @ 25V
功率_最大:125W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:PG-TO262-3
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS-T Power-Transistor
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