型号：IPI100N04S3-03
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 80A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 25V
功率_最大：214W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装：PG-TO262-3
包装：管件
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS-P2 Power-Transistor
大 小：219K
