型号：IPI020N06N
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：MOSF N CH 60V 29A TO262-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：29A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 100A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.8V @ 143µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 30V
功率_最大：3W
安装类型：通孔
封装__外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装：PG-TO262-3
包装：散装
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
大 小：477K
QQ：1139848500 复制
