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详细参数

型号：IPG20N06S2L-35

类别：FET - 阵列

制造商：Infineon Technologies

封装：8-PowerTDFN

描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

系列：OptiMOS™

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：55V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 27µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V

功率_最大：65W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-PowerTDFN

供应商设备封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

包装：带卷 (TR)

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厂商：INFINEON [ INFINEON ]

描述：OptiMOS-T Power-Transistor

大小：173K

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