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详细参数
型号:IPG20N06S2L-35
类别:FET - 阵列
制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN
描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列:OptiMOS™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 27µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:790pF @ 25V
功率_最大:65W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS-T Power-Transistor
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