型号：IPG20N06S2L-35
类别：FET - 阵列
制造商：Infineon Technologies
封装：8-PowerTDFN
描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列：OptiMOS™
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 27µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V
功率_最大：65W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerTDFN
供应商设备封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
包装：带卷 (TR)
厂 商：INFINEON [ INFINEON ]
描 述：OptiMOS-T Power-Transistor
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