型号:IPD90N03S4L-02
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:90A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫欧 @ 90A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:9750pF @ 25V
功率_最大:136W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PG-TO252-3
包装:剪切带 (CT)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS-P2 Power-Transistor
大 小:159K