型号:IPD90N04S3-H4
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:90A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.3 毫欧 @ 90A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 65µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3900pF @ 25V
功率_最大:115W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PG-TO252-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS-T Power-Transistor
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