型号:IPD65R660CFD
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 700V 6.0A TO252
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:660 毫欧 @ 2.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 200µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:615pF @ 100V
功率_最大:62.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PG-TO252
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:650V CoolMOS CFD Power Transistor
大 小:4046K