型号:IPD50R650CE
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:650 毫欧 @ 1.8A, 13V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 150µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:342pF @ 100V
功率_最大:47W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PG-TO252-3
包装:剪切带 (CT)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS?3 Power-Transistor
大 小:316K