IPD105N04LG参数(2020年),IPD105N04LG中文资料,IPD105N04LG供应商,IPD105N04LG最新价格,IPD105N04LG货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：IPD100N04S4-02

类别：FET - 单

制造商：Infineon Technologies

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313

系列：OptiMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 100A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 95µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：118nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：9430pF @ 25V

功率_最大：150W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：PG-TO252-3-313

包装：带卷 (TR)

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厂商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]

描述：OptiMOS3 Power-Transistor

大小：241K

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