型号：IPB80N03S4L-02
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 80A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：9750pF @ 25V
功率_最大：136W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
包装：带卷 (TR)
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：OptiMOS3 Power Transistor
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