型号:IPB77N06S3-09
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:77A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.8 毫欧 @ 39A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 55µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:103nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5335pF @ 25V
功率_最大:107W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:OptiMOS㈢-T Power-Transistor
大 小:160K