型号:IPB60R250CP
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 7.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 440µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 100V
功率_最大:104W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:P-TO263-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:CoolMOSTM Power Transistor
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