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详细参数
型号:IPB600N25N3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:250V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2350pF @ 100V
功率_最大:136W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-2
包装:Digi-Reel®
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power Transistor
大 小:512K
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