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详细参数

型号：IPB120N04S3-02

类别：FET - 单

制造商：Infineon Technologies

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

系列：OptiMOS™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 80A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 230µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：14300pF @ 25V

功率_最大：300W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：PG-TO263-3

包装：带卷 (TR)

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厂商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]

描述：OptiMOS-T Power-Transistor

大小：201K

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