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详细参数
型号:IPB009N03L G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:0.95 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:227nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:25000pF @ 15V
功率_最大:250W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装:PG-TO263-7
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power Transistor
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