型号:IPB057N06N
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSF N CH 60V 17A TO263-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 45A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.8V @ 36µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:92nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 30V
功率_最大:3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:散装
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOS3 Power Transistor
大 小:512K