型号:IPA65R190E6
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3 整包
描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:20.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫欧 @ 7.3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 730µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:73nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 100V
功率_最大:34W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:PG-TO220 整包
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOSTM3 Power-Transistor
大 小:290K