型号:IPA65R110CFD
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3 整包
描述:MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:31.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 12.7A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 1.3mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3240pF @ 100V
功率_最大:34.7W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:PG-TO220 整包
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOSTM3 Power-Transistor
大 小:290K