型号:IPA028N08N3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3 整包
描述:MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:89A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 89A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 270µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:206nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:14200pF @ 40V
功率_最大:42W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:PG-TO220-FP
包装:管件
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:OptiMOSTM3 Power-Transistor
大 小:290K