型号：HTNFET-D
类别：FET - 单
制造商：Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
封装：8-CDIP 裸露焊盘
描述：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
系列：HTMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：55V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 100mA，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.4V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.3nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 28V
功率_最大：50W
安装类型：通孔
封装__外壳：8-CDIP 裸露焊盘
供应商设备封装：8-CDIP-EP
包装：散装
厂 商：HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
描 述：NON INSULATED TYPE TRIAC (TO-126 PACKAGE)
大 小：184K
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