型号：HCT802
类别：FET - 阵列
制造商：TT Electronics/Optek Technology
封装：6-SMD，无引线
描述：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：90V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 25V
功率_最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-SMD，无引线
供应商设备封装：6-SMD
包装：散装
厂 商：TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述：QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATES
大 小：414K
