型号:HAT2172N
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
功率_最大:20W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供应商设备封装:8-LFPAK-iV
包装:带卷 (TR)
厂 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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