添加收藏夹  设为首页  服务热线:13692101218  13751165337
型号起始字母索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
位置:首页 > G字母起始型号索引 > G字母起始型号索引第255页
型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:GT10G131(TE12L,Q)
类别:IGBT - 单路
制造商:Toshiba
封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
描述:IGBT 400V 200A 8-SOIC
系列:-
IGBT类型:-
电压_集电极发射极击穿111最大222:400V
VgewwwwIc时的最大Vce111开222:2.3V @ 4V @ 200A
电流_集电极333Ic444111最大222:-
功率_最大:1W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP(5.5x6.0)
包装:带卷 (TR)
PDF 下载
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
大 小:182K
相关型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
查询更多GT101L-ST6供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!