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详细参数
型号:GT10G131(TE12L,Q)
类别:IGBT - 单路
制造商:Toshiba
封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
描述:IGBT 400V 200A 8-SOIC
系列:-
IGBT类型:-
电压_集电极发射极击穿111最大222:400V
VgewwwwIc时的最大Vce111开222:2.3V @ 4V @ 200A
电流_集电极333Ic444111最大222:-
功率_最大:1W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP(5.5x6.0)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
大 小:182K
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GT100CU120B5H
SILVERMICRO
19+
8800
8800
标准封装
查询更多GT100CU120B5H供应信息         发布时间:2025/8/2 15:35:00

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