型号:FQT1N60CTF_WS
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-261-4,TO-261AA
描述:MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 欧姆 @ 100mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:60V N-Channel MOSFET
大 小:705K