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详细参数

型号：FQP19N20C

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220

系列：QFET™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 9.5A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V

功率_最大：139W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：1171K

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FQP19N20C

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