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详细参数
型号:FQH8N100C
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-247-3
描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.45 欧姆 @ 4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3220pF @ 25V
功率_最大:225W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247
包装:管件
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:100V N-Channel MOSFET
大 小:696K
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查询更多FQH8N100供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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