FQD8P10TM_F085参数(2020年),FQD8P10TM_F085中文资料,FQD8P10TM_F085供应商,FQD8P10TM_F085最新价格,FQD8P10TM

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详细参数

型号：FQD8P10TM_F085

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3

系列：-

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：100V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）

包装：带卷 (TR)

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：806K

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集成IC.二三极管、电源、模块、电容、电阻、连接器、继电器、传感器、储存器、安防监控器材等一系列电子元器件。

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