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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:FQD4N20LTF
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.35 欧姆 @ 1.6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.2nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:310pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:806K
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深圳市华雄半导体(集团)有限公司
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FQD4N25TM-WS
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济南誉光微电电子科技有限公司
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