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详细参数
型号:FQD2N80TF
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 欧姆 @ 900mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:806K
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