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详细参数
型号:FQD20N06LETM
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:17.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 8.6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:800V N-Channel MOSFET
大 小:654K
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IC集成电路 、二三极管、模块、
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9800
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上海齐创科技有限公司(上海青岛北京)
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主要从事美国微芯(MICROCHIP).ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、ALTERA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、 IR、 Microchip、 飞思卡尔Freescal(Motorola)、 国半(NSC)、威士(Vishay)、ST、索尼SONY(CCD镜像)、EXAR、夏普(SHARP)、SIPEX、 凌特(LINEAR)、POWER、 哈里斯(Harris)、莱迪斯(Lattice)、 英特尔(Intel)、SIRENZA(放大器)、 MINI微波器件和滤波器件、 三菱(MITSUBISHI)、 富士(FUSI)、 东芝(TOSHIBA)、 三社(SANREX)、 三垦(SANKEN)、 西门子(SIEMENS)、 西门康(SEMIKRON)、 日立(HITACHI)、 艾赛斯(IXYS)、 英飞凌(INFINEON)等世界知名品牌的IC和功率模块 GTR、IGBT、IPM、PIM可控硅 整流桥 二极管等,涵盖通信、半导体、仪器仪表、航天航空、计算机及周边产品、消费类电子等广泛领域。
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