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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：FQD20N06LETM
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
系列：QFET™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：17.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 8.6A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)
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厂 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：200V N-Channel MOSFET
大 小：806K
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FDB-4100L-2C
FM0008A7T24
FS12VS-12
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