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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：FQD12P10TM
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
系列：QFET™
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 4.7A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)
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厂 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：200V N-Channel MOSFET
大 小：806K
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FPX-0368-20
FOL0903PNF-B17
ftd2017r-t
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F648939BPJM
FCXO-068MHz
FK4910001
FCC15120ALPH
FDD6760
FJ062
FLI18532-LF
FDG327NZ-NL
FDG327NZNL
FM2012P13C105BT1M00
FILTER-EMIFEEDTHRU50V1P
FILTER262
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FQD12P10TM
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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC， 我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉 ） 英特尔（Intel） 、德州仪器（TI） 、飞利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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FQD12P10TM
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FQD12P10TM
FAIRCHILD
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FQD12P10TM
Fairchild Semiconductor
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FQD12P10TM
FAIRCHILD
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FAIRCHILD
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