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详细参数

型号：FQB7P06TM

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK

系列：QFET™

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：410 毫欧 @ 3.5A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D²PAK

包装：带卷 (TR)

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：813K

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FQB7P06TM

Fairchild Semiconductor

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