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详细参数
型号:FQB6N15TM
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫欧 @ 3.2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D²PAK
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:813K
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