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详细参数

型号：FQB4P25TM

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

描述：MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK

系列：QFET™

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：250V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 欧姆 @ 2A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：420pF @ 25V

功率_最大：3.13W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D²PAK

包装：带卷 (TR)

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：200V N-Channel MOSFET

大小：813K

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