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详细参数
型号:FQA55N10
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-3P-3,SC-65-3
描述:MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 30.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2730pF @ 25V
功率_最大:190W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P
包装:管件
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:100V N-Channel MOSFET
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