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详细参数

型号：FDW258P

类别：FET - 单

制造商：Fairchild Semiconductor

封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP

系列：PowerTrench®

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 9A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5049pF @ 5V

功率_最大：600mW

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商设备封装：8-TSSOP

包装：带卷 (TR)

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厂商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]

描述：P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

大小：165K

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