型号:FDS8958B
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC
系列:PowerTrench®
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.4A,4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 6.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 15V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®
厂 商:FAIRCHILD [ Fairchild Semiconductor ]
描 述:Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ
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