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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:FDS3812
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC
系列:PowerTrench®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:80V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:74 毫欧 @ 3.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:634pF @ 40V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET
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晶振|陶瓷雾化片|贴片晶振|有源晶振|陶瓷晶振|石英晶振|声表面谐振器|压控晶振|IC|滤波器|二三极管|连接器|电阻|电容|功率放大器
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