型号:FDR8702H
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:8-SSOT,SuperSOT-8
描述:MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
系列:PowerTrench®
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A,2.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 10V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SSOT,SuperSOT-8
供应商设备封装:8-SSOT
包装:带卷 (TR)
厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
大 小:205K