型号：FDN5618P
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.25A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：13.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 30V
功率_最大：460mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：3-SSOT
包装：剪切带 (CT)
厂 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
大 小：105K
QQ：5645336 复制
