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详细参数
型号:FDN302P
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:882pF @ 10V
功率_最大:460mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:3-SSOT
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
大 小:105K
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