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详细参数
型号:FDMC8200
类别:FET - 阵列
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:8-PowerVDFN
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
系列:PowerTrench®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A,12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 15V
功率_最大:700mW,900mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:8-Power33(3x3)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:FAIRCHILD [ Fairchild Semiconductor ]
描 述:Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 9.5 mΩ and 20 mΩ
大 小:495K
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FDMC8200
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FDMC8200
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ON/安森美
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FDMC8200
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FDMC8200
Fairchild
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