型号：FDM606P
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：8-MLP，MicroFET?
描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 10V
功率_最大：1.92W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-MLP，MicroFET?
供应商设备封装：8-MLP，MicroFET（3x2）
包装：带卷 (TR)
厂 商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述：Q-Class Power MOSFETs
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