型号：FDG6301N
类别：FET - 阵列
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述：MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：25V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：220mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 220mA，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 10V
功率_最大：300mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：SC-70-6
包装：剪切带 (CT)
厂 商：FAIRCHILD [ Fairchild Semiconductor ]
描 述：Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ
大 小：305K
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